Tag Archives: SK 海力士

SK 海力士以 EUV 擴產中國無錫廠碰壁,傳美國不准

作者 |發布日期 2021 年 11 月 18 日 14:50 | 分類 會員專區 , 材料、設備 , 記憶體

《路透社》報導,美中科技戰影響下,衝擊到南韓記憶體製造商 SK 海力士中國無錫廠擴產計畫。原本 SK 海力士希望中國無錫廠採用含極紫外光曝光設備 EUV 先進製程生產記憶體,以因應市場需求,然而美國政府限制 EUV 設備進入中國,擴產計畫陷入膠著。

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南韓三星、SK 海力士證實已向美國政府提交業務訊息

作者 |發布日期 2021 年 11 月 09 日 12:05 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

美國商務部要求半導體業者提交供應鏈資料引發外界疑慮,但繼台積電之後,《韓聯社》報導,南韓晶片龍頭三星電子及 SK 海力士 9 日也證實,兩家公司 8 日下午已向美國政府提交晶片業務訊息,但兩家公司均強調,並未提交客戶資料等敏感訊息。 繼續閱讀..

DRAM 市場需求趨緩,南亞科 10 月營收月減 6.14% 為第二個月減少

作者 |發布日期 2021 年 11 月 03 日 19:50 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財報

記憶體大廠南亞科技 3 日公布 2021 年 10 月自結營收狀況,營收金額自 8 月到高點後,10 月營收金額再度下滑到新台幣 72.05 億元,較 9 月減少 6.14%,較 2020 年同期增加 50.18%,呈現連續第二個月減少,也表示當前 DRAM 市場需求及價格都下滑。累計 2021 年前 10 個月合併營收為 714.11億元,較 2020 年同期增加 39.94%。

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找幫手追趕台積電,ASML 將在南韓華城設立維修與技術培訓中心

作者 |發布日期 2021 年 11 月 02 日 12:20 | 分類 人力資源 , 會員專區 , 材料、設備

2020 年在台灣南科設立技術培訓中心後,EUV 曝光設備大廠艾司摩爾 (ASML) 也將在南韓京畿道華城工業區設立設備維修與技術培訓中心,預計 2021 年底前動工,2024 年完成。技術培訓中心預計有完整無塵室可培訓南韓工程師。

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SK 海力士開發出 HBM3 DRAM 記憶體, 較上一代整體頻寬提高 78%

作者 |發布日期 2021 年 10 月 21 日 17:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布,成功開發出 HBM3 DRAM 記憶體,是全球首家開發出新一代高頻寬記憶體 (HBM),也是 HBM 系列記憶體第四代產品。新一代 HBM3 DRAM 記憶體不僅提供更高頻寬,還堆疊更多層數 DRAM 以增加容量,提供更廣泛應用解決方案。

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2022 年需求成長力道將小於供給,DRAM 產業將進入跌價週期

作者 |發布日期 2021 年 10 月 12 日 13:50 | 分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 表示,隨著後續買方對 DRAM 的採購動能收斂,加上現貨價格領跌所帶動,第四季合約價反轉機會大,預估將下跌 3~8%,結束僅三季的上漲週期。而在買賣雙方心理博弈之際,後續供給方的擴產策略,與需求端的成長力道將成為影響 2022 年 DRAM 產業走勢最關鍵的因素。照目前進度看來,2022 年三大 DRAM 原廠的擴廠規劃其實仍顯保守,預估明年的供給位元成長率約 17.9%,然而由於目前買方庫存水位已偏高,加上 2022 年需求位元成長率僅 16.3%,低於供給端的成長速度,2022 年 DRAM 產業將由供不應求將轉至供過於求。 繼續閱讀..