Tag Archives: SK 海力士

SK 海力士聲明否認 HBM 團隊來自三星，強調技術自行研發

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 28 日 10:00 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

三星 HBM (高頻寬記憶體) 市場無法通過 GPU大廠輝達 (NVIDIA) 認證，導致落後對手 SK 海力士，半導體部門負責人遭撤換，三星雖否認 HBM 有問體，只強調正與夥伴密切合作，但市場消息，三星的確吃了悶虧，正想方設法追上對手。

繼續閱讀..

慧榮：輝達五年內 AI 霸主難撼動，帶動 NAND Flash 價格漲勢不停

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 26 日 12:40 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 會員專區

記憶體控制 IC 大廠慧榮總經理苟嘉章表示，NAND Flash 通路復甦較預期更緩慢，除了資料中心市場一枝獨秀表現強勁，手機市場也有些微成長，其他市場表現都不佳。原廠仍保守擴產，以期以量制價，下半年 NAND Flash 價格仍會一路上漲，使中間通路商供應與市場兩邊都不討好下承壓。

繼續閱讀..

AI 時代從循環股晉升新寵兒！HBM 為何商機大爆發？

作者遠見雜誌|發布日期 2024 年 05 月 25 日 10:30 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

半導體領域的記憶體是不受寵製程，是最出名的景氣循環股。但本季有個支線成為關注焦點，就是 AI 時代新寵兒：HBM，高頻寬記憶體。繼續閱讀..

HBM 需求日增，SK 董事長：考慮在日本、美國生產

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 05 月 24 日 16:10 |

分類半導體 , 記憶體

三星電子（Samsung Elecronics Co.）高寬頻記憶體（HBM）遲遲未獲輝達（Nvidia Corp.）認證，競爭對手 SK 海力士（SK Hynix）卻考慮投資範圍擴大至日本及美國，盼擴大 HBM 產能滿足客戶需求。

繼續閱讀..

台積電沒有刁難，三星 HBM 因散熱與功耗沒通過輝達認證

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 24 日 10:00 |

分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , Samsung

路透社報導，三星最新高頻寬記憶體 (HBM) 晶片未通過 GPU大廠輝達 (NVIDIA) 測試，市場人士說法，是散熱和功耗問題，導致輝達 AI 晶片無法作用，印證傳言三星 HBM 產品未通過台積電認證，是因產品本身問題。但三星當時否認。

繼續閱讀..

SK 海力士 HBM3E 良率成長，生產效率明顯提升

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 23 日 9:45 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 會員專區

SK 海力士高層 Kwon Jae-soon 近日向英國《金融時報》表示，HBM3E 良率接近 80%，生產效率也明顯提升。

繼續閱讀..

三星與 SK 海力士擴產標準記憶體態度保守，下半年才有提升機會

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 22 日 9:20 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易

儘管業界都承認記憶體產業逐步復甦，韓系記憶體大廠三星與 SK 海力士卻沒有積極擴產，兩家公司 DRAM 及 NAND Flash 仍舊以較保守的態度面對市場需求。

繼續閱讀..

HBM3e 產出放量帶動，年底 HBM 投片量占先進製程 35%

作者 TechNews|發布日期 2024 年 05 月 20 日 14:47 |

分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體

TrendForce 研究，三大原廠開始提高先進製程投片，繼記憶體合約價翻揚後，公司資金增加，產能提升集中在下半年，1 alpha 奈米以上投片至年底將占 DRAM 總投片比重約 40%。HBM 獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產順序最優先。但受限良率僅約 50%~60%，且晶圓面積較 DRAM 產品放大逾 60%，即占投片比重高。以各家 TSV 產能看，至年底 HBM 將占先進製程 35%，其餘生產 LPDDR5（X）與 DDR5 產品。繼續閱讀..