市場復甦不如預期,三星與 SK 海力士第四季預期獲利遭下調 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 26 日 11:30 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 韓聯社報導,產業調查顯示,韓國最大兩家半導體製造商三星電子和 SK 海力士,2024 年第四季獲利預測下調,主要原因是產業需求低迷,也為整體半導體市場前景增加不確定性。 繼續閱讀..
HBM 加速發展,美光 HBM4 2026 年亮相,HBM4E 2027~2028 年登場 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 22 日 10:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit 為因應用於人工智慧(AI)半導體需求大幅成長,SK 海力士、三星以及美光都加大了在高頻寬記憶體(HBM)領域的開發力道,加速推進第六代 HBM,也就是 HBM4 產品的開發。隨著 HBM 的改朝換代速度加快,第七代 HBM 產品 HBM4E 的開發也出現在發展計畫上。 繼續閱讀..
中國長鑫存儲量產 DDR5,是否低價傾銷引關注 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 21 日 11:00 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體 | edit 外媒報導,中國第三方記憶體模組製造商已開始向市場銷售採用中國長鑫存儲(CXMT)生產的 DDR5 記憶體晶片的 DDR5 DRAM 記憶體模組。由於長鑫存儲從未公開宣布其 DDR5 量產,因此一但大量生產足夠的 DDR5 晶片,並出售給第三方模組製造商,這可能會產生重大的市場影響,特別是如果它開始向市場傾銷低於標準定價的產品。 繼續閱讀..
SK 海力士與博通達成 HBM 供貨協議,狠甩三星成 HBM 大贏家 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 20 日 16:35 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit 韓國媒體 TheElec 報導,韓國記憶體大廠 SK 海力士贏得網通晶片大廠博通 HBM 高頻寬記憶體大單,但數量沒有透露。 繼續閱讀..
拜登趕在川普就任前,獎勵韓國 SK 海力士近 150 億元 作者 中央社|發布日期 2024 年 12 月 20 日 9:20 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit 美國官員 19 日表示,美國總統拜登政府 19 日敲定給與韓國晶片大廠 SK 海力士 4 億 5,800 萬美元(約新台幣 149 億元)的獎勵,在總統當選人川普就任前,此舉進一步鞏固拜登提振美國半導體製造的政績。 繼續閱讀..
日月光投控購買新鉅科中科廠房,斥資 30.2 億元擴充先進封裝產能 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 19 日 9:30 | 分類 AI 人工智慧 , 公司治理 , 半導體 | edit 根據封測龍頭日月光投控代旗下子公司矽品精密的公告,斥資新台幣 30.2 億元購買新鉅科位於台中后里中科園區廠房暨總部大樓,將在該地建立相關先進封裝產能,以因應當前市場訂單的需求,對日月光投控營運也大有助益。 繼續閱讀..
SK 海力士打算進軍先進封裝,恐擾亂 OSAT 一池春水 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 18 日 10:45 | 分類 半導體 , 封裝測試 | edit 韓國媒體 ETnews 報導,記憶體大廠 SK 海力士考慮進軍先進封裝,提供先進封裝代工。 繼續閱讀..
三星傷心,今年已不可能供應輝達 HBM3E 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 12 日 12:20 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體 | edit 韓國記憶體大廠三星一直努力準備向 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) 供應 HBM3E 高頻寬記憶體,但是現在看起來幾乎不可能。這是因為三星的HBM3E 高頻寬記憶體目前仍然無法通過輝達的認證。 繼續閱讀..
韓媒:SK 海力士大舉晉升人才,高階管理團隊增加一倍 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 12 月 10 日 15:00 | 分類 人力資源 , 半導體 , 記憶體 | edit SK 海力士在年終的大改組中強化高階主管團隊,將高階主管人數提升一倍,其中執行副總裁 Ahn Hyun 晉升為總裁,並擔任開發長(chief development officer,簡稱 CDO)的新職位。 繼續閱讀..
三星完成 400 層堆疊 NAND Flash,最快 2025 年第二季量產 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 09 日 13:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 韓國媒體報導表示,三星半導體研究所完成突破性 400 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體開發。11 月開始將技術轉移到平澤園區一號工廠產線。重要的里程碑使三星處於 NAND Flash 領先位置,超過開始量產 321 層堆疊 NAND Flash 的 SK 海力士。 繼續閱讀..
傳 SK 海力士改採台積電 3 奈米產 HBM4,三星考慮跟進 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 12 月 04 日 14:15 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓 | edit 市場謠傳,SK海力士(SK Hynix)將應重要客戶要求,於明(2025)年下半以 3 奈米生產客製化的第六代高頻寬記憶體(HBM)「HBM4」,而非原定的 5 奈米製程。 繼續閱讀..
三星與 SK 海力士合作,加速低功耗 LPDDR6-PIM 產品標準化 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 12 月 02 日 12:02 | 分類 半導體 , 記憶體 | edit 三星電子與 SK 海力士合作標準化 LPDDR6 的記憶體內運算(Processing In Memory,PIM)產品,加速人工智慧(AI)專用低功耗記憶體的標準化,以配合「裝置上 AI」(on-device AI)技術轉移。兩家公司認為有必要結盟,以將下一代記憶體商品化。 繼續閱讀..
SK 集團崔泰源賭一把收購海力士,最終成就韓國第二大最具價值企業 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 11 月 29 日 11:46 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit 近期業界人士在午餐會議上談到,AI 晶片市場的競爭如同魷魚遊戲,相當激烈,有時也很黑暗,但最終供應鏈的每個環節都會出現大贏家。 繼續閱讀..
靠 HBM 暴賺,SK 海力士「股利加碼 25%」回饋股東 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 11 月 28 日 8:50 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財經 | edit 隨著生成式 AI 商機起飛,高頻寬記憶體(HBM)供不應求,韓記憶體大廠 SK 海力士(SK hynix)暴賺一波,11 月 27 日宣布回饋股東大放送,未來三年將大方加碼配息,與股東互惠共榮、創造更大價值。 繼續閱讀..
企業級 SSD 價量齊揚、消費性訂單未復甦,3Q24 NAND Flash 營收季增 4.8% 作者 TechNews|發布日期 2024 年 11 月 27 日 14:50 | 分類 Samsung , 儲存設備 , 半導體 | edit TrendForce 最新調查,2024 年第三季 NAND Flash 產業出貨量位元季減 2%,但平均銷售單價(ASP)上漲 7%,帶動產業整體營收達 176 億美元,季增 4.8%。 繼續閱讀..