SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash，屆時 SSD 可達 200TB |
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 12 日 16:30 |
|
目前，兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中，三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外，SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash，並已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃，預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash，屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。
格芯推出 12 奈米 ARM 架構 3D 晶片，稱成熟度優於台積電 7 奈米 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 09 日 16:00 |
|
晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發出基於 ARM 架構的 3D 高密度測試晶片，將實現更高水準的性能和功效。由於當前晶片封裝一直是晶片製造中的一個關鍵點，使得在傳統的 2D 封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向 3D 堆疊技術上。除了看到大量的 3D NAND Flash 快閃記憶體的應用，英特爾和 AMD 也都有提出關於 3D 晶片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。
採台積電 7 奈米製程，AMD 第 2 代 EPYC 伺服器處理器問世 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 08 日 17:00 |
|
台北時間 8 日凌晨，當許多人將目光聚焦在三星發表新一代旗艦型智慧手機 Galaxy Note 10 系列的身上之際，另一場重量級的發表會，也同時間在美國熱鬧地舉行中。那就是在處理器大廠 AMD 的發表會上，AMD 正式發表了第 2 代 EPYC 伺服器處理器。這款 Zen 2 架構，代號為「Roma」的伺服器處理器，採用台積電的 7 奈米製程，擁有最高 64 核心 128 執行續，對此 AMD 執行長蘇姿豐表示，第 2 代 EPYC 伺服器處理器將是世界上最強的 X86 處理器。
三星公布 Exynos 9825 處理器資訊，性能提升關鍵在於 7 奈米製程 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 07 日 11:00 |
|
就在即將發表新一代旗艦型智慧手機 Galaxy Note 10 系列之前，南韓三星 7 日首先公布了新一代的高階處理器 Exynos 9825 的相關資訊。根據內容指出，這款行動處理器採用了三星的 7 奈米 EUV 製程，號稱可將可將電晶體性能提高 20% 到 30%，同時降低功耗達 30% 到 50%。
威剛上半年每股 EPS 達 1.25 元，第 3 季業績將逐月成長 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 08 月 06 日 17:30 |
|
記憶體模組廠威剛 6 日公布 2019 年第 2 季財報，2019 年上半年稅後淨利為新台幣 2.62 億元，較 2018 年同期增加 78.63%，每股 EPS 1.25 元。威剛指出，隨著 DRAM 及 NAND Flash 現貨價格雙雙落底反彈、國際貿易紛爭未解，以及供應端產出收斂，下游客戶回補安全庫存需求持續強勁。再加上第 3 季傳統旺季及新機上市效應，預期在價格、需求同步回升之下，下半年營運績效可期，整體表現將明顯優於上半年。
